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羅姆新品,強(qiáng)大陣容“電力十足”!

來(lái)源:羅姆 ??2017-05-22 閱讀:773
 羅姆全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大!
支持1200V 400A、600A,有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化
 
近期,羅姆面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”。
 
熟悉羅姆的小伙伴對(duì)于它獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化不會(huì)陌生,本次的產(chǎn)品正是借這股東風(fēng),實(shí)現(xiàn)了600A額定電流。
 
更節(jié)能:與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開(kāi)關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí)),這非常有助于應(yīng)用的進(jìn)一步節(jié)能。
 
更小型:由于可高頻驅(qū)動(dòng),還有利于外圍元器件和冷卻系統(tǒng)等的小型化。例如,根據(jù)冷卻機(jī)構(gòu)中的損耗仿真進(jìn)行計(jì)算,與同等額定電流的IGBT模塊相比,使用SiC模塊可使水冷散熱器的體積減少88%※。
※1200V 600A產(chǎn)品、PWM逆變器驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)頻率20kHz、導(dǎo)熱硅脂厚度40μm以下、散熱器規(guī)格采用市場(chǎng)上可獲得信息的產(chǎn)品、其他溫度條件等相同時(shí)。
QQ圖片20170522085534
<應(yīng)運(yùn)而生,繼續(xù)前進(jìn)>
近年來(lái),SiC因其優(yōu)異的節(jié)能效果而在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛,并且市場(chǎng)對(duì)更大電流SiC產(chǎn)品的需求越來(lái)越旺盛。為了最大限度地發(fā)揮SiC產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)--高速開(kāi)關(guān)性能,尤其是功率模塊這類額定電流較大的產(chǎn)品,需要開(kāi)發(fā)可抑制開(kāi)關(guān)時(shí)浪涌電壓影響的新封裝。
2012年3月,羅姆于世界首家開(kāi)始量產(chǎn)內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由碳化硅組成的全SiC功率模塊。其后,相繼開(kāi)發(fā)出直到1200V、300A額定電流的系列產(chǎn)品,在眾多領(lǐng)域中被廣為采用。在IGBT模塊市場(chǎng),羅姆擁有覆蓋主要額定電流范圍100A到600A的全SiC模塊產(chǎn)品陣容,預(yù)計(jì)未來(lái)的需求更不可限量。
 
<產(chǎn)品特點(diǎn)>
1. 開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,有助于設(shè)備節(jié)能
搭載羅姆生產(chǎn)的SiC-SBD和SiC-MOSFET的全SiC功率模塊,與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比,開(kāi)關(guān)損耗降低64%(芯片溫度150℃時(shí))。因此,可降低應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換損耗,實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步節(jié)能。
                                   
2.高頻驅(qū)動(dòng),有利于外圍元器件的小型化
PWM逆變器驅(qū)動(dòng)時(shí)的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開(kāi)關(guān)頻率的損耗5kHz驅(qū)動(dòng)時(shí)降低30%、20kHz驅(qū)動(dòng)時(shí)降低55%,綜合損耗顯著減少。20kHz驅(qū)動(dòng)時(shí),所需散熱器尺寸可減少88%。
不僅如此,由于可高頻驅(qū)動(dòng),還有助于外圍無(wú)源器件的小型化。
 
1. 封裝內(nèi)部電感顯著降低
隨著功率模塊產(chǎn)品的額定電流越來(lái)越大,開(kāi)關(guān)工作時(shí)的浪涌電壓變大,因此需要降低封裝內(nèi)部的電感。此次的新產(chǎn)品通過(guò)優(yōu)化內(nèi)置的SiC元器件配置、內(nèi)部版圖及引腳結(jié)構(gòu)等,內(nèi)部電感比以往產(chǎn)品低約23%。同時(shí),開(kāi)發(fā)了相同損耗時(shí)的浪涌電壓比以往封裝低27%的G型新封裝,從而成功實(shí)現(xiàn)額定電流400A、600A的產(chǎn)品。而且,在同等浪涌電壓驅(qū)動(dòng)條件下,采用新封裝可降低24%的開(kāi)關(guān)損耗。
 
2. 封裝的散熱性能顯著提升
要實(shí)現(xiàn)額定600A的大電流,不僅需要降低內(nèi)部電感,還需要優(yōu)異的散熱性能。新產(chǎn)品提高了對(duì)模塊的散熱性影響顯著的底板部分的平坦性,從而使底板和客戶安裝的冷卻機(jī)構(gòu)間的熱阻減少57%。
 
另外,與之前的SiC模塊產(chǎn)品一樣,此次也推出了用來(lái)評(píng)估的驅(qū)動(dòng)用柵極驅(qū)動(dòng)器板,幫助客戶輕松進(jìn)行產(chǎn)品評(píng)估。
 

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